MB85RS128BPNF-G-JNE1

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RAMXEED

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MB85RS128BPNF-G-JNE1イメージ図
イメージ図
MB85RS128BPNF-G-JNE1外形寸法図
外形寸法図

　製品概要
メーカー名 RAMXEED
製品型番

MB85RS128BPNF-G-JNE1
カテゴリ1

FeRAM

カテゴリ2

シリアルメモリ
供給状況 供給中
パッケージ MB85RS128BPNF-G-JNE1
荷姿 バルク
RoHS RoHS対応

在庫状況
在庫数量：95
在庫場所：自社在庫
ＤＣ：2023年+
納期：15:00までのご注文は当日出荷可
販売単位 / 単価(税別) / 希望数量
      5個  ¥1,000      
弊社、提携先の在庫が足りない場合は、メーカーや代理店または市場在庫品を調査致します！
　製品詳細
用途
特徴 ・ビット構成：16,384 ワード×8ビット
・シリアルペリフェラルインタフェース：SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3(1, 1) に対応
・動作周波数：READを除くすべてのコマンド 33 MHz (Max)
READコマンド
25 MHz (Max)
・書込み/読出し耐性：1012 回 / バイト
・データ保持特性：10 年(＋85℃), 95 年(＋55℃), 200 年以上 (＋35℃)
・動作電源電圧：2.7 V ～ 3.6 V
・低消費電力：動作電源電流6 mA (Typ@33 MHz)
スタンバイ電流9 μA (Typ)
・動作周囲温度：－40 ℃～＋85 ℃
・パッケージ：プラスチックSOP, 8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。
特性 MB85RS128B は , 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセスを用いた16,384
ワード×8ビット構成のFeRAM (Ferroelectric Random Access Memory： 強誘電体ランダムアクセスメモリ)です。
MB85RS128B は, シリアルペリフェラルインタフェース (SPI) を採用しています。
MB85RS128B は, SRAMのようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。
MB85RS128Bに採用しているメモリセルは1012 回の書込み/ 読出し動作が可能で, フラッシュメモリやE2PROMの書換
え可能回数を大きく上回ります。
MB85RS128B はフラッシュメモリやE2PROMのような長い書込み時間は必要とせず, 書込みの待ち時間はゼロです。し
たがって, 書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。

類似型番
※スペックやパッケージ違いなどにご注意ください
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－


STOCK EMS(提携先EMS在庫)
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－
※こちらは敬誠の姉妹サイトになります。
提携EMS会社の在庫で、正規品ではありますが、
環境調査・不良解析等のサポートは行っておりません。
詳しくはSTOCK EMS内のご利用ガイドをご確認ください。


納期について


製品 詳細情報ご利用の際のお願い
弊社ＨＰの規格表のデータはメーカー発表の資料に基づいて作成しておりますが、
メーカーでは改良などのために予告なく仕様が変更されることがあります。
またデータ量が多いため一部省略、誤りがある場合がございますのでご了承ください。
ご不明な点などございましたら、問い合わせフォームよりご連絡お願い致します。

実際に製品を購入する前には当該メーカーにお問い合わせの上、必ず仕様をご確認ください。

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