MB85RC256VPNF-G-JNE1

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MB85RC256VPNF-G-JNE1イメージ図
イメージ図
MB85RC256VPNF-G-JNE1外形寸法図
外形寸法図

　製品概要
メーカー名 RAMXEED
製品型番

MB85RC256VPNF-G-JNE1
カテゴリ1

FeRAM

カテゴリ2

シリアルメモリ
供給状況 供給中
パッケージ MB85RC256VPNF-G-JNE1
荷姿 バルク
RoHS RoHS対応

在庫状況
在庫数量：80
在庫場所：自社在庫
ＤＣ：2022年+
納期：15:00までのご注文は当日出荷可
販売単位 / 単価(税別) / 希望数量
      5個    ¥920      
弊社、提携先の在庫が足りない場合は、メーカーや代理店または市場在庫品を調査致します！
　製品詳細
用途
特徴 ・ビット構成:32,768 ワード×8 ビット
・2線式シリアルインタフェース:シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可 能
・動作周波数:1 MHz (Max)
・書込み/ 読出し耐性:1012 回/バイト
・データ保持特性:10年(＋85 ℃), 95年(＋55 ℃), 200年以上 (＋35 ℃)
・動作電源電圧:2.7 V～5.5 V・低消費電力:動作電流200 UμA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
・動作温度範囲:－40℃～＋85 ℃
・パッケージ:プラスチックSOP, 8 ピン (150mil)
プラスチック SOP, 8ピン (208mil)
両パッケージ品共にRoHS指令に適合しています。
特性 MB85RC256V は, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた32,768
ワード×8 ビット構成のFRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。
MB85RC256Vは, SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用しなくてもデータ保持が可能です。
MB85RC256Vに採用しているメモリセルは書込み/読出し動作でバイトあたり最低1012 回の耐久性があり, ほかの不揮
発性メモリ製品よりも大きく上回ります。
MB85RC256Vでは, フラッシュメモリやE2PROMのような長い書込み時間は不要のため, 1バイト単位での書込みを 実
現しています。 したがって, ライトビジー状態のような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。

類似型番
※スペックやパッケージ違いなどにご注意ください
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－


STOCK EMS(提携先EMS在庫)
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－
※こちらは敬誠の姉妹サイトになります。
提携EMS会社の在庫で、正規品ではありますが、
環境調査・不良解析等のサポートは行っておりません。
詳しくはSTOCK EMS内のご利用ガイドをご確認ください。


納期について


製品 詳細情報ご利用の際のお願い
弊社ＨＰの規格表のデータはメーカー発表の資料に基づいて作成しておりますが、
メーカーでは改良などのために予告なく仕様が変更されることがあります。
またデータ量が多いため一部省略、誤りがある場合がございますのでご了承ください。
ご不明な点などございましたら、問い合わせフォームよりご連絡お願い致します。

実際に製品を購入する前には当該メーカーにお問い合わせの上、必ず仕様をご確認ください。

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