MB85RC256VPNF-G-AME2

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RAMXEED

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RAMXEED

MB85RC256VPNF-G-AME2イメージ図
イメージ図

MB85RC256VPNF-G-AME2外形寸法図
外形寸法図

　製品概要
メーカー名 RAMXEED
製品型番 MB85RC256VPNF-G-AME2
カテゴリ1

FeRAM

カテゴリ2

シリアルメモリ
供給状況 供給中
パッケージ MB85RC256VPNF-G-AME2
荷姿 トレイ
RoHS RoHS対応

在庫状況
在庫数量：0
※お見積りは商品をカートに入れると発行できます
在庫場所：―
ＤＣ：N/A
納期：入荷待ち
弊社、提携先の在庫が足りない場合は、メーカーや代理店または市場在庫品を調査致します！
　製品詳細
用途
特徴 ・ビット構成:32,768 ワード×8 ビット
・2線式シリアルインタフェース:シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可 能
・動作周波数:1 MHz (Max)
・書込み/ 読出し耐性:1012 回/バイト・データ保持特性:10年(＋85 C), 95年(＋55 C), 200年以上 (＋35 C)・動作電源電圧:2.7 V～5.5 V
・低消費電力:動作電流200 A (Max @ 1 MHz) スタンバイ電流 27 A (Typ)
・動作温度範囲:－40 C～＋85 C
・パッケージ:プラスチックSOP, 8 ピン (150mil) プラスチック SOP, 8ピン (208mil)両パッケージ品共にRoHS指令に適合しています。
特性 MB85RC256Vは, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた32,768ワード
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　×8 ビット構成のFeRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ) です。 MB85RC256Vは,
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用しなくてもデータ保持が可能です。 MB85RC256Vに採用しているメモリセルは
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　書込み/読出し動作でバイトあたり最低1012 回の耐久性があり, ほかの不揮発性メモリ製品よりも大きく上回ります。 MB85RC256Vでは,
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　フラッシュメモリやE2PROMのような長い書込み時間は不要のため, 1バイト単位での書込みを 実現しています。 したがって, ライトビジー状態の
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。

類似型番
※スペックやパッケージ違いなどにご注意ください
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－


STOCK EMS(提携先EMS在庫)
  製品型番/メーカー 在庫数 リンク
－　対象製品無し　－
※こちらは敬誠の姉妹サイトになります。
提携EMS会社の在庫で、正規品ではありますが、
環境調査・不良解析等のサポートは行っておりません。
詳しくはSTOCK EMS内のご利用ガイドをご確認ください。



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